常用频率：10MHz 、12.8MHz 、13MHz、 14.4MHz、 14.7456MHz 、15.36MHz 、16MHz 、16.368MHz 、16.367667MHz、 16.369MHz、 16.8MHz 、18.432MHz 、19.2MHz 、 19.44MHz 、19.68MHz、 19.8MHz 、20MHz 、 21.250MHZ、 24.5535MHZ 、 26MHZ 、 30MHz、 32MHz、 38.4MHz、
| 电气参数 | |||||||||||||||
| 输出频率范围 | f0 | 1.000 MHz ~ 60.000 MHz | 60.001 MHz ~ 80.000 MHz | ||||||||||||
| 电源电压 | VCC | H:5.0 V ±0.5 V , C:3.3 V ±0.3 V | C:3.3 V ±0.165 V | ||||||||||||
| 压控电压 | VC | H:2.5 V ±2.0 V, C:1.65 V ±1.5 V | 1.65 V ±1.65 V | ||||||||||||
| 储存温度 | T_stg | -40 °C ~ +125 °C | -55 °C ~ +125 °C | 裸存 | |||||||||||
| 工作温度 | T_use | -20 °C ~ +70 °C / -40 °C ~ +85 °C | |||||||||||||
| 频率稳定度 | f_tol | ±35 × 10-6 / ±50 × 10-6 / ±65 × 10-6 | VC=2.5 V(**H), VC=1.65 V(**C) | ||||||||||||
| 功耗 | ICC | H:20 mA Max. , C: 10 mA Max. | 35mA Max. | 无负载条件 | |||||||||||
| 输出禁用电流 | I_dis | H:15 mA Max. , C: 7 mA Max. | 25mA Max. | OE=GND | |||||||||||
| 频率控制范围 | f_cont | ±130 × 10-6 | ±80 × 10-6 | ||||||||||||
| 绝对频率控制范围 *1 | APR | ±80 × 10-6 Min., ±65 × 10-6 Min. | ±50 × 10-6 Min. | ||||||||||||
| 调制特性 | BW | 15 kHz Min. | 5 kHz Min. | ±3 dB (at 1 kHz) | |||||||||||
| 输入电阻 | Rin | 50 kW Min. | 80 kW Min. | F 或 T 类型 | DC 极 | ||||||||||
| H:- , C:10 MW Min. | - | M 或 Z 类型 | |||||||||||||
| 频率变化极 | - | 正极 | |||||||||||||
| 占空比 | SYM | 40 % ~ 60 % | 45 % ~ 55 % | CMOS 负载: 50 % VCC 极 | |||||||||||
| 输出电压 | VOH | VCC-0.4 V Min. | 90 % VCC Min. | IOH=-4 mA(**H), IOH=-0.8 mA(**C) | |||||||||||
| VOL | 0.4 V Max. | 10 % VCC Max. | IOL=4 mA(**H ), IOL=3.2 mA(**C) | ||||||||||||
| 输出负载条件 (CMOS) | L_CMOS | 15 pF Max. | CMOS 负载 | ||||||||||||
| 输入电压 | VIH | 70 % VCC Min. | OE 终端 | ||||||||||||
| VIL | 30 % VCC Max. | ||||||||||||||
| 上升/下降时间 | tr / tf | 4 ns Max. | 5 ns Max. | CMOS 负载: 20 % VCC ~ 80 % VCC 极 | |||||||||||
| 振荡启动时间 | t_str | 10 ms Max. | 在 90 % VCC 时，所需时间为 0 秒 | ||||||||||||
| 频率老化 | f_aging | ±10 × 10-6 Max.*2 | 频率稳定度包含 | +25 °C, 10 年 | |||||||||||
| 产品尺寸 | |||||||||||||||
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